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第八代BiCS FLASH已然投入量产,第代意味着基于BiCS FLASH的害里产品也将得到新一轮升级。全新的第代BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升,害里特别是第代2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。
为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制,害里铠侠通过专有工艺和创新架构,第代实现了存储芯片的害里纵向和横向缩放平衡,所开发的第代CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)和3.6Gbps接口速度,害里给AI应用、第代数据中心、害里移动设备提供了更多潜在可能。第代
技术永远不是害里一蹴而就,在第八代BiCS FLASH突破限制背后是第代铠侠对技术的不断创新和积累,在第八代BiCS FLASH已经发布的此刻,不妨让我们一起看看第八代BiCS FLASH厉害在哪里。
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