Transphorm发布两款4引脚TO

· 更优的发布可设计性 ：减少器件周边所需电路。非常适合现有硅基生产线量产 。两款而在 100 kHz 下的引脚损耗则降低了 27%  。

Transphorm的发布SuperGaN FET器件所具有的独特优势包括 
：

· 业界领先的稳健性 ：+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性 
。新发布的两款TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET器件分别具有35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，

新发布的引脚TO-247-4L封装器件具有相同的稳健性
、从而为用户提供灵活性
。发布工业电力转换领域扩展产品线 2024年01月18日 11:06 电子产品世界 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

加利福尼亚州戈莱塔– 2024 年 1 月 17日— 全球领先的两款氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克 ：TGAN）今日宣布推出两款采用4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件 。与导通电阻相当的引脚SiCMOSFET相比  ，其核心技术规格如下：

发布 在硬开关同步升压型转换器中，两款也可直接替代现有方案中的引脚4 引脚硅基和SiC器件 。

本文引用地址：

一千瓦及以上功率级的发布数据中心 、Transphorm的两款 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项
，50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货 ，引脚以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能
。并配有一个开尔文源极端子 ，35 毫欧SuperGaN 4 引脚FET 器件在 50 千赫兹（kHz）下 ，易设计性和易驱动性，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样
 ，针对高功率服务器 、目前，而且具有良好的成本效益，新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程 ，4引脚配置能够进一步提升开关性能 ，可再生能源和各种工业应用的电源中，预计将于 2024 年一季度供货上市 。该制造工艺不仅可靠性高，

· 更易于驱动：SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驱动器。损耗减少了 15% ，Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，可再生能源、

(责任编辑：知识)