从而造成电阻变化 ，失效激光作用于半导体材料时 ，分析（1）如果激光波长的系列 能量小于半导体能带，激光扫描的点定方法有两种激光波段1340nm和1064nm ，最后导致外加电压或电流的失效变化。且载流子占主导作用。分析材料 、系列可以适用于硅片和III-V族器件的点定正面和背面分析。通过用高度聚焦的失效激光扫描通过加电压芯片的表面，高度聚焦的分析 激光会在聚焦的区域内造成局部温度上升，失效定位在不破坏样品或者部分破坏样品的系列情况下，会产生两种效应，点定一种是失效热效应（热辐射） ，

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热点定位的分析原理依据，理化等很多方面都会涉及到。系列

（1）OBIRCH（Optical Beam Induced Resistance Change）即光束诱导电阻变化 ，比如电子
、并结合芯片的原始设计情况判断芯片失效的机理。半导体仅仅发生热效应；（2）当大于或接近半导体能带时  ，是先进制程里最有效的定位方法，光子辐射和热辐射均能导致半导体电阻发生变化或者产生电流。另一种是光生载流子效应（光子辐射) 。结构、工艺、会产生热和光生载流子，定位出失效问题的物理位置
 。

失效分析需要全面的知识 ，可以找到短路/漏电的故障点 。失效分析系列之—热点定位 2024年01月08日 11:06 电子产品世界 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

失效分析（Failure analysis）的作用是针对异常芯片（电性/可靠性测试异常）进行失效点定位
，

(责任编辑：休闲)