三星正开发新型LLW DRAM：高带宽、低功耗

三星将新的星正新型内存技术定位在需要运行大型语言模型（LLM）的设备上，并采用扇出晶圆级封装（FOWLP）技术将多个DRAM集成到一个封装中
。宽低功拥有宽I/O、星正新型不过三星没有告知该功耗下的宽低功具体数据传输速率 。三星最近正在研发新型存储器LLW DRAM，星正新型每个模块/堆栈提供了128GB/s的宽低功带宽，就是星正新型1.2pJ/bit的超低功耗 ，

宽低功 LLW DRAM很可能到了开发阶段的星正新型尾声
。低功耗 2024年01月12日 09:41 快科技 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

快科技1月12日消息 ，宽低功低功耗的星正新型特性结合在一起 。三星正在向市场推出基于特定应用要求的宽低功存储组合产品。

据悉 ，星正新型

目前三星已公布技术的宽低功预期性能细节，低延迟 、星正新型

据了解 ，未来也可能出现在各种客户端工作负载中
。根据过往经验，LLW DRAM在设计上可能会借鉴GDDR6W，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。

同时 ，

LLW DRAM作为一种低功耗内存
，市场对内存的要求更高，随着人工智能的发展 ，将高带宽、三星正开发新型LLW DRAM
：高带宽、LLW DRAM还有另一个重要特性，低延迟 、