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三星电子计划 2025~2026 年推出 LP Wide I/O 堆叠移动内存，位宽达 512bit

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简介三星电子计划 2025~2026 年推出 LP Wide I/O 堆叠移动内存，位宽达 512bit 2024年07月17日 16 ...

三星电子计划 2025~2026 年推出 LP Wide I/O 堆叠移动内存，星电位宽达 512bit 2024年07月17日 16:13 IT之家 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

IT之家 7 月 17 日消息，计划据三星电子 2024 年异构集成路线图，年推该企业正积极研发一款名为 LP Wide I/O 的出L存位新型移动内存。

值得注意的堆叠移动内是，三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的宽达 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存，尚不能确认两者关系。星电

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