第八代BiCS FLASH已然投入量产，第代意味着基于BiCS FLASH的害里产品也将得到新一轮升级。全新的第代BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升，害里特别是第代2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。

为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制，害里铠侠通过专有工艺和创新架构，第代实现了存储芯片的害里纵向和横向缩放平衡，所开发的第代CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）和3.6Gbps接口速度，害里给AI应用、第代数据中心、害里移动设备提供了更多潜在可能。第代

技术永远不是害里一蹴而就，在第八代BiCS FLASH突破限制背后是第代铠侠对技术的不断创新和积累，在第八代BiCS FLASH已经发布的此刻，不妨让我们一起看看第八代BiCS FLASH厉害在哪里。