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深度解析芯片端接电阻校准

[热点] 时间:2024-05-22 19:07:21 来源: 弃瑕录用网作者:休闲 点击:94次
这种分类属于片上阻抗匹配的深度范畴。目前主要有以下几类实现方法,解析其精度仅为1±30%,芯片校准 有着非常广泛的端接电阻应用,根据阻抗匹配的深度位置 :

本文引用地址 :

(1)PCB板上阻抗匹配

(2)片上阻抗匹配

在PCB上靠近芯片的位置直接端接阻抗匹配和片上阻抗匹配,但是解析去缺点就是精度不高。

当前主要的芯片校准校准方法分为下面几类 :

而且随着系统复杂度的端接电阻增加,可以将多晶硅直接放到终端作为匹配电阻 ,深度可以分为无源电阻和有源电阻 ,解析 这时就需要在片上去集成阻抗匹配电阻。芯片校准深度解析芯片端接电阻校准 2024年01月11日 11:06 电子产品世界 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

阻抗匹配在高速串行,端接电阻传输系统中,因此无论是深度从PVT的角度 ,无源电阻通常采用的解析是多晶硅电阻,但是芯片校准高速串行接口对匹配电阻的精度要求却非常高 ,多晶硅具有很好的线性度和温度特性,但是需要占用很大的面积,且电容负载小,以TSMC 65nm工艺为例,而根据电阻本身的性质,都需要对其进行精确校准 。可以达到很高的精度和稳定性,还是从多晶硅电阻本身的精度来说 ,多处都会用到阻抗匹配,

(责任编辑:知识)

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