快科技8月18日消息，推出半导体公司NEO Semiconductor近日宣布推出3D X-AI芯片技术，飚升倍功被设计用于取代高带宽内存(HBM)中的耗降现有DRAM芯片，以提升人工智能处理性能并显著降低能耗。推出

3D X-AI芯片集成了8000个神经元电路，飚升倍功这些电路直接在3D DRAM中执行AI处理任务，耗降实现了AI性能加速达到100倍。推出

与此同时，飚升倍功由于大幅减少了数据传输需求，耗降该芯片的推出功耗降低了99%，有效降低了数据总线的飚升倍功功耗和发热问题。

NEO Semiconductor的耗降这一创新还带来了8倍的内存密度，其3D X-AI芯片包含300个DRAM层，推出支持运行更大规模的AI模型。

该公司此前已宣布全球首款3D DRAM技术，而3D X-AI芯片则是在此基础上的进一步创新，通过类似HBM的堆叠封装，实现了每芯片高达10 TB/s的AI处理吞吐量。

NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu指出，当前AI芯片架构中数据存储与处理的分离导致了性能瓶颈和高功耗问题。

3D X-AI芯片通过在每个HBM芯片中执行AI处理，显著减少了HBM和GPU之间传输的数据量，从而提高性能并降低功耗。

行业分析师Jay Kramer认为，3D X-AI技术的应用将加速新兴AI用例的开发，并推动新用例的创造，为AI应用创新开启新时代。