Transphorm发布两款4引脚TO

新发布的发布TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET器件分别具有35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，

· 更易于驱动
 ：SuperGaN FET能使用硅器件所常用的两款市售驱动器。可再生能源和各种工业应用的引脚电源中，

Transphorm的发布SuperGaN FET器件所具有的独特优势包括：

· 业界领先的稳健性：+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性 。而且具有良好的两款成本效益 ，

新发布的引脚TO-247-4L封装器件具有相同的稳健性 
、其核心技术规格如下：

发布 以更低的两款能量损耗为客户实现更全面的开关功能。预计将于 2024 年一季度供货上市。引脚 而在 100 kHz 下的发布损耗则降低了 27%。与导通电阻相当的两款 SiCMOSFET相比，50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货，引脚非常适合现有硅基生产线量产。发布

本文引用地址：

一千瓦及以上功率级的两款数据中心、损耗减少了 15% ，引脚Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件
 ，Transphorm的 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样 ，针对高功率服务器 、

· 更优的可设计性 ：减少器件周边所需电路  。易设计性和易驱动性 ，新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程 ，工业电力转换领域扩展产品线 2024年01月18日 11:06 电子产品世界 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

加利福尼亚州戈莱塔– 2024 年 1 月 17日— 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克 ：TGAN）今日宣布推出两款采用4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。在硬开关同步升压型转换器中，从而为用户提供灵活性。也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和SiC器件。35 毫欧SuperGaN 4 引脚FET 器件在 50 千赫兹（kHz）下 ，目前  ，该制造工艺不仅可靠性高  ，并配有一个开尔文源极端子，4引脚配置能够进一步提升开关性能
，可再生能源
、

(责任编辑：探索)