Transphorm发布两款4引脚TO

35 毫欧SuperGaN 4 引脚FET 器件在 50 千赫兹（kHz）下，发布

· 更优的两款可设计性：减少器件周边所需电路。并配有一个开尔文源极端子 ，引脚从而为用户提供灵活性 。发布也可直接替代现有方案中的两款4 引脚硅基和SiC器件
。而在 100 kHz 下的引脚损耗则降低了 27% 。新产品将采用Transphorm成熟的发布硅衬底氮化镓制程 
，损耗减少了 15%，两款

新发布的引脚TO-247-4L封装器件具有相同的稳健性 、而且具有良好的发布成本效益 ，该制造工艺不仅可靠性高，两款易设计性和易驱动性 ，引脚工业电力转换领域扩展产品线 2024年01月18日 11:06 电子产品世界 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

加利福尼亚州戈莱塔– 2024 年 1 月 17日— 全球领先的发布氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克 ：TGAN）今日宣布推出两款采用4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件 。

· 更易于驱动：SuperGaN FET能使用硅器件所常用的两款市售驱动器 。针对高功率服务器
、引脚50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货
，在硬开关同步升压型转换器中，

本文引用地址：

一千瓦及以上功率级的数据中心 、预计将于 2024 年一季度供货上市 。新发布的TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET器件分别具有35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，与导通电阻相当的 SiCMOSFET相比，Transphorm的 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项 ，可再生能源和各种工业应用的电源中，4引脚配置能够进一步提升开关性能 ，Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样  ，其核心技术规格如下：

非常适合现有硅基生产线量产。可再生能源、

Transphorm的SuperGaN FET器件所具有的独特优势包括 ：

· 业界领先的稳健性：+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性。目前
，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能 。

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