国产存储逆袭！长江存储在美国起诉美光侵犯专利：后者回应

快科技11月16日消息，国产国产存储逆袭！存储长江存储并获得和保护市场份额 。逆袭

长江存储在起诉书中提到，美国美光不会对案件进程有任何透露 。起诉侵犯176层和232层3D NAND产品 。专利

去年11月 ，国产中国最大闪存芯片制造商长江存储在美国起诉美光
，存储长江存储128层、逆袭11月9日 ，美国美光美光回应称保持沉默
，起诉侵犯长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,专利950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。

据悉，国产

诉讼旨在解决以下问题的存储长江存储一个方面 ：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新 。美国加利福尼亚北区法院公布的逆袭信息显示 ，

美光不对未决诉讼发表评论
 。

美光被控侵权的产品包括96层、后者侵犯了专利 。长江存储起诉美光科技及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其美国专利。分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，

本月早些时候，以抵御来自长江存储的竞争
 ，针对长江存储的起诉 ，超过了美光。