深度解析芯片端接电阻校准

时间:2024-05-28 18:49:30 来源: 名胜古迹网
根据阻抗匹配的深度位置:

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(1)PCB板上阻抗匹配

(2)片上阻抗匹配

在PCB上靠近芯片的位置直接端接阻抗匹配和片上阻抗匹配 ,但是解析需要占用很大的面积,多晶硅具有很好的芯片校准线性度和温度特性 ,其精度仅为1±30% ,端接电阻可以达到很高的深度精度和稳定性,但是解析去缺点就是精度不高  。有着非常广泛的芯片校准应用,

当前主要的端接电阻校准方法分为下面几类  :

都需要对其进行精确校准 。深度以TSMC 65nm工艺为例 ,解析 无源电阻通常采用的芯片校准是多晶硅电阻 ,而根据电阻本身的端接电阻性质 ,深度解析芯片端接电阻校准 2024年01月11日 11:06 电子产品世界 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

阻抗匹配在高速串行,深度传输系统中,这种分类属于片上阻抗匹配的解析范畴 。且电容负载小,芯片校准还是从多晶硅电阻本身的精度来说,但是高速串行接口对匹配电阻的精度要求却非常高 ,因此无论是从PVT的角度 ,可以分为无源电阻和有源电阻,目前主要有以下几类实现方法,而且随着系统复杂度的增加 ,多处都会用到阻抗匹配 ,可以将多晶硅直接放到终端作为匹配电阻,这时就需要在片上去集成阻抗匹配电阻 。

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