台积电再添“利器”SOT

台积电携手工业技术研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展 ，利器台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存
：功耗仅为类似技术百分之一 2024年01月18日 10:51 IT之家 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

IT之家 1 月 18 日消息，台积添搭载创新运算架构，电再成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”（SOT-MRAM），利器成为台积电抢占 AI、台积添高性能运算（HPC）市场的电再新“杀手锏”
。功耗仅为类似技术 STT-MRAM 的利器百分之一，