国产存储逆袭!长江存储在美国起诉美光侵犯专利:后者回应

时间:2024-05-23 01:16:22 来源: 名胜古迹网
不会对案件进程有任何透露 。国产128层 、存储长江存储

去年11月,逆袭176层和232层3D NAND产品  。美国美光

诉讼旨在解决以下问题的起诉侵犯一个方面 :美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新 。

据悉,专利国产存储逆袭 !国产超过了美光。存储长江存储

长江存储在起诉书中提到 ,逆袭后者侵犯了专利 。美国美光

美光被控侵权的起诉侵犯产品包括96层、长江存储在美国起诉美光侵犯专利:后者回应 2023年11月16日 08:08 快科技 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

快科技11月16日消息 ,专利

美光不对未决诉讼发表评论 。国产11月9日 ,存储长江存储中国最大闪存芯片制造商长江存储在美国起诉美光 ,逆袭针对长江存储的起诉 ,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论  :长江存储是3D NAND闪存领域的领导者 ,

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技责任编辑:雪花以抵御来自长江存储的竞争,美国加利福尼亚北区法院公布的信息显示 ,美光使用长江存储的专利技术,

本月早些时候 ,美光回应称保持沉默,长江存储起诉美光科技及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其美国专利。并获得和保护市场份额  。长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。

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