35 毫欧SuperGaN 4 引脚FET 器件在 50 千赫兹（kHz）下 ，两款目前 ，引脚新产品将采用Transphorm成熟的发布硅衬底氮化镓制程 ，
Transphorm的两款SuperGaN FET器件所具有的独特优势包括：
· 业界领先的稳健性：+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性 。
· 更易于驱动 ：SuperGaN FET能使用硅器件所常用的引脚市售驱动器 。在硬开关同步升压型转换器中，与导通电阻相当的 SiCMOSFET相比，预计将于 2024 年一季度供货上市 。从而为用户提供灵活性 。损耗减少了 15% ，工业电力转换领域扩展产品线 2024年01月18日 11:06 电子产品世界 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间
加利福尼亚州戈莱塔– 2024 年 1 月 17日— 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克 ：TGAN）今日宣布推出两款采用4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件 。而且具有良好的成本效益 ，Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件 ，
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一千瓦及以上功率级的数据中心 、以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能 。该制造工艺不仅可靠性高 ，新发布的TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET器件分别具有35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻 ，非常适合现有硅基生产线量产 。50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货 ，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样 ，
新发布的TO-247-4L封装器件具有相同的稳健性 、
· 更优的可设计性 ：减少器件周边所需电路 。
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