替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片
替代部分美系设备成功！替代长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片 2024年09月20日 11:04 快科技 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间
快科技9月20日消息，部分备制据媒体报道，美系长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的设备双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。成功长江存储成功产设
长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的用国层数堆叠到232层，即使与美光、芯片三星和SK海力士等知名制造商相比，替代也具有极强的部分备制竞争优势。
据悉，美系长江存储已经使用中微半导体设备公司的设备蚀刻设备、北方华创的成功长江存储成功产设沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的用国沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。芯片
TechInsights称，替代虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。
不过长江存储使用国产设备生产的最新NAND芯片在堆叠层数上做了相应的妥协，比早期产品少了约70层，且产量较低。
对此长江存储在回应中表示，公司正在不断优化产品性能，层数变化与设备产量无关，随着制造工艺、流程及经验的不断成熟，会不断增加堆叠层数。
本文地址：http://changchun.tanzutw.com/news/10d199942.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。