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中国科大在氧化物电子学领域取得重要进展 2024年01月26日 08:06媒体滚动

中国科大在氧化物电子学领域取得重要进展

研究团队深入探索Sr-Al-O基水溶性牺牲层薄膜的中国激光分子束外延生长窗口,在开发超薄柔性电子器件方面表现出巨大的氧化域应用潜力 。剥离和转移技术(图1)。物电 因此 ,学领获得大面积 、得重

进展 挠曲电性和显著的中国磁弹效应等,显著缩短了水辅助剥离过程的氧化域时间,并导致相应功能特性的物电退化。目前国际上普遍使用的学领Sr-Al-O基水溶性牺牲层与目标氧化物薄膜之间不可避免的晶格失配和应力弛豫会导致高密度界面缺陷的形成,

多年来 ,得重王凌飞教授团队与西北大学司良教授团队合作,进展发现从Sr4Al2O7牺牲层上剥离的中国自支撑薄膜中无裂纹区域可以扩展到毫米级(图3) ,其次,氧化域通过精细的物电薄膜生长控制发现了一种新型水溶性牺牲层材料Sr4Al2O7。高结晶性的自支撑氧化物薄膜是推动这一研究领域进一步发展的关键科学问题。研究团队验证了晶格常数在3.85~4.04 ?区间的一系列钙钛矿氧化物薄膜的剥离效果 ,中国科大在氧化物电子学领域取得重要进展 2024年01月26日 08:06 媒体滚动 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 腾讯QQ QQ空间

日前 ,

图1:基于水溶性牺牲层的自支撑氧化物薄膜的剥离和转移过程示意图
。<p cms-style=针对上述问题 ,如何抑制微裂纹的形成  ,

自支撑氧化物薄膜是指一种去除衬底后依旧保持单晶特性的低维量子材料,比目前已报道的同类自支撑薄膜样品大1~3个数量级,同时 ,自支撑氧化物薄膜的主流制备方法是基于水溶性牺牲层的外延生长 、系统的实验表征和第一性原理计算展现了其诸多优异性质:首先,成果以 “Super-tetragonal Sr4Al2O7 as a sacrificial layer for high-integrity freestanding oxide membranes”为题,于1月26日以研究长文(Research Article)形式发表于《Science》。提升了自支撑氧化物薄膜的制备效率。中国科大吴文彬教授、进而在水辅助剥离和转移过程中诱发高密度裂纹的产生,显著提升了自支撑氧化物薄膜的结晶性和完整性 。自支撑氧化物薄膜易于实现与硅基半导体 、研究团队还进一步发现Sr4Al2O7独特的原子结构导致其具有很高的水溶性,且其结晶性和功能性可以与单晶衬底上生长的高质量外延薄膜相当 。二维范德瓦尔斯材料以及柔性高分子材料的集成,有望诱导出传统外延氧化物薄膜中不具备的新奇量子衍生现象和功能特性 。然而," id="0"/>图1 :基于水溶性牺牲层的自支撑氧化物薄膜的剥离和转移过程示意图 。兼具关联电子体系的多自由度耦合特性和二维材料的结构柔性 。抑制了界面处缺陷的形成和水辅助剥离过程中的裂纹产生,Sr4Al2O7薄膜的激光分子束外延生长窗口与多数钙钛矿氧化物薄膜兼容,双轴应变下的Sr4Al2O7薄膜具有四方结构对称性(图2),由于摆脱了单晶衬底的刚性束缚,显著影响自支撑氧化物薄膜的结晶性和完整性,成功制备了一种广谱高效的新型超四方相水溶性牺牲层材料Sr4Al2O7 ,这类材料具有超弹性  、与多数ABO3钙钛矿材料可以形成高质量共格外延生长  ,制备工艺具有普适性。可用于制备多种高质量自支撑氧化物薄膜。

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